阻变存储器（RRAM）是一种新型非易失性存储技术，通过外部电场调控器件材料电阻值实现存储。凭借读写速度快、低功耗、存储密度高的优势，在消费电子、汽车、医疗等行业需求拉动下，市场前景广阔。
据Global Market Insights Inc.最新报告，2024年RRAM市场估值达7.869亿美元，预计2025年达9.099亿美元，2034年将增至37.9亿美元，年复合增长率17.2%。它与相变存储器（PCM）、磁变存储器（MRAM）等并列为最具潜力的新型存储器。
市场分析：应用倒逼技术创新
北京新忆科技CMO贾槐真
2025年11月23日，中国国际半导体博览会（IC China 2025）在北京召开。24日，北京新忆科技CMO贾槐真在“人工智能及大模型芯片论坛”上，详解了RRAM技术及在AI领域的最新进展。
贾槐真指出，近两年国内MCU（微控制单元）行业呈现三大趋势：新工艺平台加速应用、eFlash替代推进、国产替代深化。
过去MCU多采用40nm及以上成熟制程，但可穿戴、物联网、汽车电子等场景对“小尺寸+高集成+低功耗”的需求，倒逼厂商向28nm、22nm乃至16nm推进，以平衡成本与性能功耗比。此时，新型嵌入式存储成为突破关键。
地缘政治不确定性也让国产替代成为行业共识。从去年起，国内头部厂商与代工厂合作评估RRAM、MRAM等下一代非易失存储，为16~28nm节点量产铺垫“先进制程+高可靠数据保持”方案。
核心优势凸显，适配先进工艺
贾槐真强调，RRAM具备六大核心优势：一是工艺延伸性强，新忆科技已从55nm突破至22nm以下，可等比缩减面积且器件难度更低；二是成本优势显著，采用后道工艺，兼容HV、BCD及FinFET等工艺，仅需在逻辑工艺基础上加两层掩膜版；三是适配性广，支持中芯国际、联电等一线代工厂的55/40/28/22nm等工艺；四是替代性强，可直接替换OTP、eFlash等多种嵌入式非易失存储器；五是功耗极低，无需Flash的高电压，读写电流小且省去擦除功耗；六是写操作灵活快速，支持直写及擦除编程操作，节省时间。
RRAM的功耗低、体积小、成本节省等诸多优势，除了助力其在存储方面广泛应用，也使其适配端侧算力芯片（静态参数），如近存计算、存算一体芯片等，产品形态包括存算一体RRAM算力内核和近存RRAM存储内核。
替代eFlash成趋势，全球加速布局
传统eFlash工艺复杂、成本高，且与FinFET工艺不兼容，止步于40nm制程。而RRAM以小尺寸、简工艺、低成本及先进工艺兼容性，成为替代eFlash的理想选择——光照成本仅为eFlash的1/6，读写速度提升10倍以上。
全球厂商正加紧布局：台积电40/28/22nm RRAM已量产，12nm即将量产；三星也在积极推进。中芯国际40nm HV-RRAM已量产落地；维信诺与昇显微合作完成全球首颗RRAM AMOLED驱动芯片认证；新忆科技的嵌入式RRAM已落地显示驱动、射频等芯片场景，其中显示驱动芯片通过多家OLED屏厂测试，具备量产条件，量产后将成为业界首个用于品牌手机屏的RRAM方案。
新忆科技：领跑国内RRAM产业化
新忆科技2018年孵化于清华大学集成电路学院，专注RRAM技术及芯片研发，拥有独立式和嵌入式（eRRAM）RRAM芯片产品，覆盖55nm至22nm及以下工艺，是国内首家RRAM量产企业，也是国际上率先实现新型存储器产业化的企业之一。
2021年，其Nor RRAM量产，累计生产超2000万颗；2020年40nm RRAM流片，2022年28nm流片，2024年22nm流片，并入选北京“专精特新”企业，获国际机构Yole《Emerging Non-Volatile Memory 2024》报告认可为中国RRAM领域代表企业。
据2024年国际电子器件会议（IEDM）披露，新忆科技28nm RRAM单元面积比肩同业22nm产品，循环寿命达1万次，125℃下数据保持10年。目前其22nm平面结构RRAM单元面积已追平同业12nm水平，超高密度技术可适配高带宽需求，1T4R成果已发表于2025年中国集成电路科学技术大会（CSTIC）。
构筑端侧存算“大脑”，赋能MCU升级
2025年，新忆科技RRAM产品良率超99%，计划明年将循环寿命提升至10万次，2027年突破大容量存储阵列技术。
贾槐真表示，RRAM将助力中国MCU产业迈入先进工艺，满足性能提升、成本降低的核心需求，同时构筑端侧存算“大脑”，为AI时代端侧算力芯片提供低功耗、小体积、低成本的存储与算力支撑。
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