7月1日, 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新型CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiC MOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合,在25°C时R DS(on) 值为4至60 mΩ,广泛适用于车载充电器(OBC)、 DC-DC转换器、电动汽车(xEV)辅助设备等应用,以及电动汽车充电、光伏逆变器、储能系统、通讯和开关电源(SMPS)等工业应用。

英飞凌CoolSiC MOSFET 750 V G2
凭借4 mΩ和7 mΩ的超低导通电阻,MOSFET在静态开关应用中拥有出色的表现,并成为eFuse、高压电池关断开关、固态断路器和固态继电器等应用的理想选择。英飞凌创新的Q-DPAK顶部散热式封装专为提供领先的热性能和可靠性设计, R DS(on) 值低至4 mΩ,实现行业内最佳规格。
该技术还具有领先的R DS(on) x Q OSS 和更佳的R DS(on) x Q fr,可减少硬开关和软开关拓扑结构中的开关损耗,在硬开关应用场景中效率尤为出色。由于栅极电荷减少,该技术可实现更快的开关速度并降低栅极驱动损耗,提高了在高频率应用中的效率。
此外,CoolSiC MOSFET 750 V G2在25°C时具有高电压阈值(V GS(th),typ 为4.5 V)和超低Q GD/Q GS 比,进一步提高了对寄生导通(PTO)的抗扰性。该技术还支持栅极驱动能力扩展,可承受最高-7 V的静态栅极电压及最高-11 V的瞬态栅极电压。这一更高的电压耐受性为工程师提供了更大的设计余量,保证了与市场上其他产品更高的兼容性。
CoolSiC 750 V G2具有出色的开关性能、极佳的易用性和优异的可靠性,并且完全符合AEC Q101车规级部件标准和JEDEC工业级部件标准。该技术通过实现更加高效、紧凑和经济的设计,满足了日益增长的市场需求,展现了英飞凌在安全关键型汽车应用可靠性和耐用性上的投入。
供货情况
英飞凌的CoolSiC MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/16/25/60 mΩ样品现已开放订购。
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